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教研室：金属材料工程

发表刊物：材料科学与工程学报

摘要：本研究表征了二硫化钼（MoS2）墨水制备工艺对其黏度、表面张力、微观形貌及物相结构的影响，测试了利用MoS2墨水并采用直写墨水打印（DIW）制备的水平结构两端型忆阻器的电学性能。研究结果表明：基于四庚基溴化铵（THAB）的剥离法制备的MoS2墨水具有较低的黏度（4.82 cP）和表面张力(38.3 mN·m-1),其微观结构为清晰的层状和松散的纳米片，物相结构为单层至双层MoS2;而四硫代钼酸铵（ATTM）的前驱体法制备的MoS2墨水热退火过程中S损失导致的结构缺陷，呈现小颗粒状且未能形成MoS2纳米片。使用THAB剥离法的忆阻器具有良好的非线性电导特性、高开关电流比以及长时间的保持稳定性（超过4×103 s）,优于ATTM前驱体法制备的忆阻器。因此，THAB剥离法制备的MoS2墨水更适合DIW技术，能够制备出性能较好的水平结构两端忆阻器，为其他基于溶液的忆阻器制备技术如喷墨打印技术提供了重要参考。

论文类型：期刊论文

文献类型：期刊论文

卷号：43

期号：6

页面范围：932-939

是否译文：否

收录刊物：CPCI-S