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    吕全江

    • 副教授 硕士生导师
    • 性别：男
    • 毕业院校：南昌大学
    • 学历：博士研究生毕业
    • 学位：博士
    • 在职信息：在本单位任职
    • 所在单位：材料科学与工程学院

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    Influence of the thickness of p-GaN ohmic contact layer on the performance of AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes

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    所属单位：500200

    发表刊物：Materials Science in Semiconductor Processing

    ISSN号：13698001

    是否译文：否