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Achieving reading-writing electromagnetic signal memory based on high-order topological state

发布时间：2024-12-09  点击次数：

所属单位：计算机科学与通信工程学院

ISSN号：0021-8979

是否译文：否

上一条：Switching BIC through polarization of incident light on bilayer malposed photonic crystal slabs

下一条：Bound band in the continuum from merging of topological edge states and magnetic interface states

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