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Ferroelectric polarization-driven ionic modulation enabling enhanced self-rectification in NiOx/HfO2-x: Al memristors

发布时间：2025-12-15  点击次数：

所属单位：物理与电子工程学院

ISSN号：0003-6951

是否译文：否

下一条：Enhancement of self-powered ultraviolet photodetection of PZT films via the collective effect induced by introducing SnO2 electron transport layer

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