一种氮掺杂SiC基底的外延石墨烯背栅晶体管的制备方法
点击次数：
专利类型：发明
专利状态：已授权
授权号：201410156026.5
是否职务专利：否
申请日期：2014-04-18
授权日期：2016-09-14
个人信息： Personal information
博士生导师
硕士生导师
学历：博士研究生毕业
学科：机械电子工程
在职信息：在本单位任职 所在单位：机械工程学院 入职时间：2009-06-01 职务：教授 2013曾获荣誉当选：江苏省“六大人才高峰”高层次人才
在职信息：在本单位任职 所在单位：机械工程学院 入职时间：2009-06-01 职务：教授 2013曾获荣誉当选：江苏省“六大人才高峰”高层次人才