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一种纳米太阳电池陷光结构的制备方法

点击次数：发布时间：2019-10-23

  • 专利类型：发明
  • 专利状态：已授权
  • 授权号：201110429484.8
  • 是否职务专利：否
  • 申请日期：2011-12-20
  • 授权日期：2014-05-28

下一条： nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱太阳电池

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专利

个人信息：

  • 性别：男
  • 职称：副教授
  • 学历：博士研究生毕业
  • 学位：博士
  • 所在单位：机械工程学院
  • 职务：副教授

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