袁志钟

个人信息:Personal Information

副教授 硕士生导师

教师英文名称:Ryan

教师拼音名称:yuanzhizhong

出生日期:1977-09-08

电子邮箱:18754843@qq.com

入职时间:2000-07-01

所在单位:材料科学与工程学院

职务:副教授

学历:博士研究生毕业

办公地点:材料楼414

性别:男

联系方式:13852906059

学位:博士

职称:副教授

在职信息:在职

主要任职:系主任

其他任职:全国、江苏省热处理学会理事

毕业院校:浙江大学

硕士生导师

学科:材料物理与化学
材料学

其他联系方式Other Contact Information

邮箱 :

移动电话 :

通讯/办公地址 :

传真 :

邮编 :

扫描关注

个人简介:Personal Profile


学历

(1)        工学博士,材料物理与化学,2004-2-17~2007-12-30
浙江大学,材料与化工学院,硅材料国家重点实验室
学位论文题目:离子注入制备硅基发光材料及其性能研究
主要研究领域:硅基发光材料与器件

导师:杨德仁 教授 阙端麟 院士

Ø   pn结的室温光致发光特性研究;制备参数对其发光性能的影响;利用EBIC研究其发光机理

Ø   纳米硅镶嵌SiOx/SiNx 薄膜的制备; SiNx:Tb3+ SiOx:Tb3+薄膜的发光性能对比研究及前者的机理研究; SiNx 薄膜衬底对Tb3+发光的影响

Ø   SnO2/p-Si 异质结的电致和光致发光及其机理; SnO2:Tb3+ 薄膜的发光特性及其磷扩散增强效应

Ø   20042月至200712月,在浙江大学攻读博士学位,专业方向为硅基光电子。在离子注入pn结、纳米硅镶嵌氮化硅薄膜以及稀土掺杂氮化硅、氧化锡半导体薄膜的硅基光电子发光机理、材料与器件等方面取得了多项高新科研成果,已在国外发表英文论文近三十余篇,研究成果得到国内外专家学者的高度评价。主要参与了两项实验室开放基金,以及国家自然科学基金(60606001)和973项目(2007CB613403)。2006年,以第一作者身份获得安捷伦杯半导体制造全国论文大赛二等奖,2007年,以主要作者身份获得该项论文大赛三等奖。获授权专利1项。

 

(2)        江苏大学,材料科学与工程学院,工学硕士,材料学, 2000-9-1~2003-6-30
江苏大学,材料科学与工程学院
研究领域:高氮奥氏体不锈钢
学位论文题目:高氮奥氏体不锈钢的力学性能及中温稳定性研究
导师:戴起勋 教授

 

(3)        江苏理工大学,材料科学与工程学院,工学学士, 金属材料及热处理, 1996-9-1~2000-6-30
江苏理工大学,材料科学与工程学院

 

荣誉和获奖

(1)        2019,国家一流本科专业,金属材料工程,系主任

(2)        2018,国家精品在线开放课程《金属材料学》,主持

(3)        2018,国家教学成果,二等奖

(4)        2018,江苏大学优秀工作者

(5)        2018,国家教学成果二等奖

(6)        2018,《金属材料学》国家精品在线开放课程

(7)        2017,江苏省教学成果特等奖

(8)        2016,江苏大学第八届教学竞赛高级组一等奖

(9)        2016,江苏大学材料科学与工程学院讲课竞赛高级组一等奖

(10)    2015,江苏大学教学成果奖特等奖,金属材料工程全素质链人才培养模式构建与实践

(11)    2015,教育部第二届全国高校微课教学比赛,优胜奖

(12)    2015,江苏省高校微课教学比赛(本科组),一等奖

(13)    2014,江苏大学第七届教学大赛高级组二等奖

(14)    2014,江苏大学材料科学与工程学院讲课竞赛高级组一等奖

(15)    2014,高等学校科学研究优秀成果奖(科技进步奖)二等奖.高端装备不锈钢管材设计及其关键制造技术

(16)    2013,江苏省科技进步二等奖,《微量掺锗铸造多晶硅及薄片化的制备技术与产业化》

(17)    2011,江苏省扬中市首届十佳优秀科技工作者奖

(18)    2011,镇江市第六次中国共产党代表大会代表

(19)    2010,《高性能掺锗多晶硅片开发及产业化》,镇江市科技进步一等奖,排名第4

(20)    2007,安捷伦杯半导体制造论文大赛三等奖。胡翔,李东升,程培红,袁志钟,杨德仁。论文题目:银、氮化硅界面控制Tb3+ 发光寿命

(21)    2007,安捷伦杯半导体制造论文大赛三等奖。袁志钟,李东升,王明华,龚道仁,樊瑞新,杨德仁。论文题目:不同载流子浓度和退火处理的硅pn结的光致发光研究

(22)    2001,江苏大学校优秀共产党员

(23)    2003,江苏大学研究生院优秀毕业生

(24)    2000,江苏理工大学校优秀毕业生

(25)    1997199819992000江苏理工大学一等奖学金


研究领域

Ø  金属材料热处理及表层改性

Ø  关键零部件抗疲劳制造科学与工程

Ø  新能源材料

工作经历

(1)        江苏大学材料科学与工程学院,副教授,2011.4.22-至今

主要工作描述:

金属材料及关键零部件的热处理及表层改性研究

 

(2)        2018.07.19-2018.10.12,意大利Trento大学物理系,访问学者

主要工作描述:

开展了江苏大学与Trento大学理学院和工学院的科研合作,调研了Trento大学的教学管理,签订了两份合作备忘录。

 

(3)        2010.8~2012.10,研发总监,江苏环太集团

主要工作描述:

2009年2月至2012年10月,在江苏环太集团担任研发总监,负责集团的光伏分公司、LED分公司的研发工作,主要工作包括筹备、组建集团研发部,建立了一支技术过硬、成绩卓著的研发队伍;筹备并确立研发方向,在光伏领域主要包括硅料清洗、物料分类、晶体生长、硅片切割、浆料回收等各个环节开展研发工作,研究内容包括高效多晶硅片、铸造类单晶、N型单晶、单晶二次加料、低成本硅料技术、切割浆料回收与SiC催化剂、硅晶体生长热场模拟、原生硅料表面物性研究、多晶铸锭杂质控制、G6多晶硅设备升级、金刚线切片技术等,在LED领域的研究主要包括蓝宝石HEM晶体生长优化、蓝宝石晶体缺陷工程、超光滑微纳米表面加工技术等。组建研发团队,每年开展十多项研发项目;参与筹建并负责江苏环太集团院士工作站;主导江苏环太集团与国内外著名高校、科研机构的合作,先后与国内浙江大学硅材料国家重点实验室、中科院上海光学精密仪器研究所、中科院大连化学物理研究所等科研单位展开紧密合作,其中包括江苏省重大成果转化项目、院士工作站、江苏省科技支撑计划等;在2011第七届中国太阳级硅及光伏发电研讨会做分会场报告,2013年第九届中国太阳级硅及光伏发电研讨会做分会场特邀报告,应邀赴中科院宁波材料工程研究所做报告;参与编写多项企业标准,共申请发明、实用新型专利40余项。

 

(4)        University of Trento, Department of Physics. 博士后, 2008-9~2010-8,导师: Lorenzo Pavesi 教授
意大利特伦托大学物理系纳米科学实验室(Nanoscience Laboratory, Department of Physics, University of Trento, Italy(Laboratorio Nanoscienze, Dipartimento di Fisica, Università di Trento, via Sommarive 14, 38100 Povo-Trento, Italy)

主要工作描述:

2008年8月至2010年8月,在意大利特伦托大学(University of Trento)纳米科学实验室(http://science.unitn.it/~semicon/)进行了博士后访问研究工作,实验室的负责人是国际半导体光电子学界著名的Lorenzo Pavesi教授。在意期间,我主要从事第三代太阳能电池和硅基光电子研究,参与欧盟项目3项,Intel等企业项目2项,主要负责欧盟项目1项,发表多篇论文、综述和书籍章节,参加8次国际会议。

4.1. 第三代太阳能电池

4.1.1   欧盟LIMA项目(www.limaproject.eu

从2009年至今,全程参与欧盟“Improve Photovoltaic efficiency by applying novel effects at the limits of light to matter interaction”项目的申请与实施,与德国、西班牙、意大利的多个研究小组以及澳大利亚的太阳能领域著名教授Martin A. Green一起合作。该课题将集成背接触、纳米硅、表面等离子体等先进太阳能电池方案,制备高效率新型太阳能电池。2010年1月,赴西班牙瓦伦西亚参加课题开题讨论会,2010年6月提交报告一份。目前已经完成了纳米硅多层超晶格的制备和光学、电学性能测试,并将纳米硅多层超晶格集成在背接触电池的表面。负责搭建了第三代太阳能电池实验室,组装和测试光谱反应、太阳能模拟器等设备。

4.1.2   全硅叠层电池

主要研究全硅叠层电池的宽禁带子电池(sub-cell)的光伏特性。方法是将硅纳米晶/介质薄膜(氧化硅或氮化硅)的多层超晶格结构,沉积在石英衬底。石英衬底的优点在于可以去除硅衬底的影响,从而得到宽禁带子电池的光伏特性,为全硅叠层电池的研究提供重要实验参数。已经制备了非晶硅/氧化硅、富硅氧化硅/氧化硅、富硅氮化硅/氧化硅、富硅氧化硅/氮化硅、富硅氮化硅/氮化硅等多层超晶格薄膜电池以及单层富硅氧化硅、富硅氮化硅薄膜电池,完成了光谱反应、电流-电压、光伏特性的测试。

4.1.3   光致发光下转化电池(Photoluminescence down shifter)

利用单层富硅氧化硅作为光致发光下转化层,将其沉积在普通太阳能电池表面。富硅氧化硅经过高温退火后,会在薄膜中得到硅纳米晶,其作用是将入射蓝光转换成红光,从而减少蓝光在普通太阳能电池里激发的电子-空穴对在太阳能电池表面的复合。已经制备了原型器件,并测试了光伏性能,并通过Scout软件计算,结合实验数据,得出光致发光对内量子转换效率有14%的增强效果。

4.1.4   硅纳米晶光伏特性

从2008年8月至2009年6月,负责与意大利Optoi公司的合作项目,主要是对MOS型器件中的硅纳米晶光伏特性进行了研究,发现了硅纳米晶光伏效应、近红外光吸收效应、短路电流与光强的超线性关系等实验现象,完成总结报告4份,做公司汇报2次,参加学院学术研讨一次,参加2009年冬季学校培训一次。

4.1.5   硅纳米晶电子传输特性模拟

以经典的氧化硅薄膜遂穿公式为起点,利用计算机模拟硅纳米晶/氧化硅多层超晶格的电流-电压特性,并与实验结果相对照。与米兰理工合作,对多层超晶格薄膜结构进行变温电流-电压特性测试和EBIC测试。到罗马第二大学参加软件培训一次。

4.2.         硅基光电子

4.2.1   硅纳米晶MOS发光器件

该项目属于Intel公司资助项目。主要利用硅纳米晶作为硅基发光材料,将其作为MOS器件的功能层,用来制备低功耗的可见光硅基光源。主要方法是利用硅纳米晶/氧化硅多层超晶格薄膜来获得粒径可控的硅纳米晶,并且,随着氧化硅薄膜厚度的减少,电子的遂穿模式从Fowler-Nordheim遂穿变为直接遂穿,大大降低了开启电压,提高了发光效率。目前已经获得开启电压为1.7 V、能量效率为0.17%的器件,是目前该研究方向的最好实验结果。

4.2.2   硅纳米晶增强Er离子发光

该研究得到欧盟Helios项目(Photonics electronics functional integration on CMOS)资助,目标是制备硅纳米晶敏化Er离子的电致发光器件。目前已完成了硅纳米晶密度、直径以及退火温度、方式等制备参数对Er离子发光影响的实验,测试了光致发光等性能,已经制备了CMOS制备工艺兼容的电致发光器件。

4.2.3   SnO2光电薄膜

该研究得到了浙江大学硅材料国家重点实验室开放基金的资助,属于浙江大学博士研究工作的延伸。主要研究工作包括SnO2可见光电致发光器件和多孔SnO2薄膜制备与气敏性能研究。SnO2可见光电致发光器件是利用SnO2薄膜中稳定存在的缺陷态作为发光中心,利用p型硅和ITO作为空穴和电子的注入层,制备得到电致发光器件,其发光中心位于590 nm。已完成SnO2/p-Si原型器件的制备,并得到该类薄膜的制备、形貌、氧空位等优化参数。多孔SnO2薄膜是新型半导体功能薄膜,具有制备简单、形貌可控、比表面积大等特点,属于首次报导的功能薄膜材料,目前已经完成了薄膜制备以及形成机理等研究。

(5)        江苏大学材料科学与工程学院,讲师, 2005.08.31-2011.04.21

(6)        江苏大学材料科学与工程学院, 助教, 2000.7.1-2005.08.30

发表科技论文专著

(1)        Z. Wang, Z. Liu, M. Liao, D. Huang, X. Guo, Z. Rui, Q. Yang, W. Guo, J. Sheng, C. Shou, B. Yan, Z. Yuan, Y. Zeng, J. Ye, Effective gettering of in-situ phosphorus-doped polysilicon passivating contact prepared using plasma-enhanced chemical-vapor deposition technique, Solar Energy Materials and Solar Cells 206 (2020) 110256.

(2)        Y. Huang, M. Liao, Z. Wang, X. Guo, C. Jiang, Q. Yang, Z. Yuan, D. Huang, J. Yang, X. Zhang, Q. Wang, H. Jin, M. Al-Jassim, C. Shou, Y. Zeng, B. Yan, J. Ye, Ultrathin silicon oxide prepared by in-line plasma-assisted N2O oxidation (PANO) and the application for n-type polysilicon passivated contact, Solar Energy Materials and Solar Cells 208 (2020) 110389.

(3)        P. Zhang, X. Yang, X. Hou, J. Mi, Z. Yuan, J. Huang, C. Stampfl, Active sites and mechanism of the direct conversion of methane and carbon dioxide to acetic acid over the zinc-modified H-ZSM-5 zeolite, Catalysis Science & Technology 9(22) (2019) 6297-6307.

(4)        Y. Zhai, X. Hou, Z. Yuan, P. Zhang, Q. Guan, Analysis of Crystallographic Texture and Mechanical Anisotropy of an Extruded Mg-RE Alloy, Rare Metal Materials and Engineering 47(5) (2018) 1341-1346.

(5)        C. Quan, Y. Zeng, D. Wang, M. Liao, H. Tong, Z. Yang, Z. Yuan, P. Gao, B. Yan, K. Chen, J. Ye, Computational analysis of a high-efficiency tunnel oxide passivated contact (TOPCon) solar cell with a low-work-function electron-selective-collection layer, Solar Energy 170 (2018) 780-787.

(6)        C. Quan, H. Tong, Z. Yang, X. Ke, M. Liao, P. Gao, D. Wang, Z. Yuan, K. Chen, J. Yang, X. Zhang, C. Shou, B. Yan, Y. Zeng, J. Ye, Electron-Selective Scandium−Tunnel Oxide Passivated Contact for n-Type Silicon Solar Cells, Solar RRL 2(8) (2018) 1800071.

(7)        Y. Zeng, H. Tong, C. Quan, L. Cai, Z. Yang, K. Chen, Z. Yuan, C.-H. Wu, B. Yan, P. Gao, J. Ye, Theoretical exploration towards high-efficiency tunnel oxide passivated carrier-selective contacts (TOPCon) solar cells, Solar Energy 155 (2017) 654-660.

(8)        H. Yao, Z. Yuan, Z. Xiong, Y. Zhai, D. Li, Microstructure and photoluminescence of SnO2thin films prepared by reactive magnetron sputtering, Cailiao Daobao/Materials Review 30(9) (2016) 1-5.

(9)        X.-L. Hou, Y.-X. Zhai, P. Zhang, S. Guo, Z.-Z. Yuan, Q.-F. Guan, Rare earth texture analysis of rectangular extruded Mg alloys and a comparison of different alloying adding ways, Rare Metals 35(11) (2016) 850-857.

(10)    基于机器视觉技术的光伏组件电致发光自动识别分析测试系统的研制. 龚道仁,袁志钟,赵文,东野长旭,陈勇,姚宏燚,尤奇燊,喻书豪,朱佳. 太阳能. 257:19-24 2015

(11)    多晶硅定向凝固铸锭炉热场改进数值模拟研究. 龚道仁,袁志钟,徐敏伟,赵文,尤奇燊,喻书豪,朱佳. 材料科学. 4:159-1672014

(12)    光伏发电系统碳排放计算模型及应用. 龚道仁, 陈迪, 袁志钟. 可再生能源. 31:1-4,9(2013)

(13)    Deformation microstructure of austenitic stainless steel 2Cr13Mn9Ni4 under ultrafast strain rate by laser shock processing. Kangmin Chen, Chenchao Zheng, Zhizhong Yuan (Corresponding author), Jinzhong Lu, Xudong Ren, Xinmin Luo. Materials Science and Engineering A, 587, 244-249 (2013)

(14)    On the mechanism of enhanced photoluminescence of SiNx:Tb3+ compared with SiOx:Tb3+. Daoren Gong, Zhizhong Yuan(袁志钟). Advanced Materials Research, 716, 332-336 (2013)

(15)    Silicon nanocrystals as a photoluminescence down shifter for solar cells纳米硅作为光致发光下转换电池的研究. Zhizhong Yuan(袁志钟), Georg Pucker, Alessandro Marconi, Fabrizio Sgrignuoli, Aleksei Anopchenko, Yoann Jestin, Lorenza Ferrario, Pierluigi Bellutti, Lorenzo Pavesi. Solar Energy Materials & Solar Cells, 95(4),1224-1227(2011)

(16)    Silicon nanocrystals as an enabling material for silicon photonics(纳米硅在硅光电子中的应用). Zhizhong Yuan(袁志钟), Aleksei Anopchenko, Nicola  Daldosso, Roman Guider, Daniel Navarro-Urrios, Alessandro Pitanti, Rita Spano, Lorenzo Pavesi. IEEE论文集系列2009年卷(Proceedings of the IEEE 2009). Vol. 97, No.7, p:1250-1268.

(17)    Silicon nanocrystals to enable silicon photonics硅纳米晶成就硅光子学). Min Xie(谢敏), Zhizhong Yuan(袁志钟), Bo Qian(钱波), Lorenzo Pavesi. Chinese Optics Letters(中国光子快报). 7(4), 页:319-324 (2009) (国外期刊SCI/EI检索).

(18)    Enhanced photoluminescence of Tb3+ in SnO2 film by phosphorus diffusion process(磷扩散促进Tb3+ 在二氧化锡薄膜中的发光.Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Zhihong Liu(刘志洪), Xiaoqiang Li(李小强), Minghua Wang(王明华), Peihong Cheng(程培红), Peiliang Chen(陈培良), Deren Yang(杨德仁). 合金与化合物. 卷:474 (1-2), 246-249 (2009) (国外期刊SCI/EI检索).

(19)    Electroluminescence of SnO2/p-Si heterojunctionSnO2/p-Si 异质结的电致发光研究). Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Minghua Wang(王明华), Peiliang Chen(陈培良), Daoren Gong(龚道仁), Peihong Cheng(程培红), Deren Yang(杨德仁). 应用物理快报. 卷:92 (12) 121908 (2008) (国外期刊SCI/EI检索).

(20)    Photoluminescence of Tb3+-doped SiNx films with different Si concentrationsTb3+掺杂不同硅含量SiNx 薄膜的光致发光研究. Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Minghua Wang(王明华), Daoren Gong(龚道仁), Peihong Cheng(程培红), Peiliang Chen(陈培良), Deren Yang(杨德仁). 材料科学与工程B. 卷:146 (1-3), 页:126-130 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索)

(21)    Electron-beam-induced current evidence for room-temperature photoluminescence of silicon pn diode(硅pn结的室温光致发光电子束诱发电流研究). Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Minghua Wang(王明华), Daoren Gong(龚道仁), Ruixin Fan(樊瑞新), Deren Yang(杨德仁). 真空. 卷:82 (11), 页:1337-1340 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(22)    Light emission properties and mechanism of low-temperature prepared amorphous SiNx films. I. Room-temperature band tail states photoluminescence(低温制备非晶氮化硅薄膜的发光及其机理研究I:室温带尾态光致发光). Minghua Wang(王明华), Min Xie(谢敏), L. Ferraioli, Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Deren Yang(杨德仁), L. Pavesi. 应用物理. 卷:104 (8), 页:083504 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(23)    Light emission properties and mechanism of low-temperature prepared amorphous SiNx films. II. Defect states electroluminescence(低温制备非晶氮化硅薄膜的发光及其机理研究I:缺陷态的电致发光). Minghua Wang(王明华), Jianhao Huang(黄建浩), Zhizhong Yuan(袁志钟), A. Anopchenko, Dongsheng Li(李东升), Deren Yang(杨德仁), L. Pavesi. 应用物理. 卷:104 (8), 页:083505 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(24)    Optical properties of single-phase b-FeSi2 films fabricated by electron beam evaporation(电子束蒸发制备单晶b-FeSi2 薄膜的光学性质研究). Daoren Gong(龚道仁), Dongsheng Li(李东升), Zhizhong Yuan(袁志钟), Minghua Wang(王明华), Deren Yang(杨德仁). 应用表面科学. 卷:254 (15), 页:4875-4878 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(25)    Enhancement of ZnO light emission via coupling with localized surface plasmon of Ag island film(银薄膜增强氧化锌薄膜发光研究). Peihong Cheng(程培红), Dongsheng Li(李东升), Zhizhong Yuan(袁志钟), Peiliang Chen(陈培良), Deren Yang(杨德仁). 应用物理快报. 卷:92 (4), 页:041119 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(26)    Controllable synthesis of uncapped metal nanoparticle assembly at the air-water interface(气-液界面的无包裹金属颗粒的可控制备). Peihong Cheng(程培红), Dongsheng Li(李东升), Zhizhong Yuan(袁志钟), Yu Zou(邹彧), Deren Yang(杨德仁). 材料化学与物理. 卷:111 (2-3), 页:271-274 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(27)    Effects of defect, carrier concentration and annealing process on the photoluminescence of silicon pn diodes(缺陷、载流子浓度、退火对硅pn结发光影响). Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Daoren Gong(龚道仁), Minghua Wang(王明华), Ruixin Fan(樊瑞新), Deren Yang(杨德仁). 半导体工艺中的材料科学. 卷:10 (4-5), 页:173-178 (2007) (国外期刊,SCI/EI检索).

(28)    Photoluminescence of Si-rich silicon nitride: Defect-related states and silicon nanoclusters(富硅氮化硅的光致发光研究: 缺陷态和硅纳米团簇). Minghua Wang(王明华), Dongsheng Li(李东升), Zhizhong Yuan(袁志钟), Deren Yang(杨德仁), Duanlin Que(阙端麟). 应用物理快报. 卷:90 (13), 页:131903 (2007) (国外期刊,SCI/EI检索).

(29)    Correlation between luminescence and structural evolution of Si-rich silicon oxide film annealed at different temperatures(不同热处理温度下的富硅氧化硅结构变化与发光性能的对照研究). Minghua Wang(王明华), Deren Yang(杨德仁), Dongsheng Li(李东升), Zhizhong Yuan(袁志钟), Duanlin Que(阙端麟). 应用物理, 卷:101 (10), 页:103504 (2007) (国外期刊,SCI/EI检索).

(30)    Aligned single crystal Al-catalyzed boron nanorods on Si substrates(硅衬底上铝催化硼单晶纳米棒生长研究). Qing Yang(杨青), Jian Sha(沙键), Lei Wang(汪雷), Zhizhong Yuan(袁志钟), Deren Yang(杨德仁). 欧洲物理学报B. 卷:56 (1), 页:35-39 (2007) (国外期刊,SCI/EI检索).

(31)    Reaction of iron with amorphous silicon and crystal silicon for the fabrication of iron silicides(铁与非晶硅、单晶硅反应制备铁硅化合物研究). Daoren Gong(龚道仁), Dongsheng Li(李东升), Zhizhong Yuan(袁志钟), Deren Yang(杨德仁). 缺陷与扩散. 卷:272, 页:99-106 (2007) (国外期刊,SCI/EI检索).

(32)    Photoluminescence of Tb3+ doped SiNx films grown by plasma-enhanced chemical vapor depositionTb3+ 掺杂等离子体增强化学气相法沉积氮化硅薄膜的光致发光研究). Zhizhong Yuan(袁志钟), Dongsheng Li(李东升), Minghua Wang(王明华), Peiliang Chen(陈培良), Daoren Gong(龚道仁), Lei Wang(汪雷), Deren Yang(杨德仁). 应用物理.  卷:100 (8), 页:083106 (2006) (国外期刊,SCI/EI检索).

(33)    Deformation microstructure of austenitic stainless steel 2Cr13Mn9Ni4 under ultrafast strain rate by laser shock processing. Kangmin Chen, Chenchao Zheng, Zhizhong Yuan(袁志钟,通讯作者), Jinzhong Lu, Xudong Ren, Xinmin Luo. Materials Science & Engineering A, 587, 244-249 (2013).

(34)    High-cycle fatigue behavior of high-nitrogen austenitic stainless steel(高氮奥氏体不锈钢的高周疲劳性能研究). Qixun Dai(戴起勋), Zhizhong Yuan(袁志钟,通讯作者), Xi Chen(陈曦), Kangmin Chen(陈康敏). 材料科学与工程A. 卷:517(1-2), 页:257-260 (2009) (国外期刊,SCI/EI检索).

(35)    Effects of temperature cycling and nitrogen on the stability of microstructures in austenitic stainless steels(温度循环和氮对奥氏体不锈钢的围观组织稳定性影响). Zhizhong Yuan(袁志钟), Qixun Dai(戴起勋), Qing Zhang(张青), Xiaonong Cheng(程晓农), Kangmin Chen(陈康敏). 材料表征.  卷:59(1), 页:18-22 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(36)    Impact properties of high-nitrogen austenitic stainless steels(高氮奥氏体不锈钢的冲击性能研究). Zhizhong Yuan(袁志钟), Qixun Dai(戴起勋), Xiaonong Cheng(程晓农), Kangmin Chen(陈康敏), Wenwei Xu(徐文维). 材料科学与工程A.  卷:475(1-2), 页:202-206 (2008) (国外期刊,SCI/EI检索).

(37)    Microstructural thermostability of high nitrogen austenitic stainless steel(高氮奥氏体不锈钢的微观组织稳定性研究). Zhizhong Yuan(袁志钟), Qixun Dai(戴起勋), Xiaonong Cheng(程晓农), Kangmin Chen(陈康敏). 材料表征. 卷:58(1), 页:87-91 (2007) (国外期刊,SCI/EI检索).

(38)    In situ SEM tensile test of high-nitrogen austenitic stainless steels(高氮奥氏体不锈钢的原位扫描电镜观察). Zhizhong Yuan(袁志钟), Qixun Dai(戴起勋), Xiaonong Cheng(程晓农), Kangmin Chen(陈康敏), Li Pan(潘励), Andong Wang(王安东). 材料表征. 卷:56(1), 页:79-83 (2006) (国外期刊,SCI/EI检索).

(39)    Design of martensite transformation temperature by calculation for austenitic steels(奥氏体钢的马氏体转变温度计算研究). Qixun Dai(戴起勋), Xiaonong Cheng(程晓农), Yutao Zhao(赵玉涛), Xinmin Luo(罗新民), Zhizhong Yuan(袁志钟). 材料表征. 卷:52(4-5), 页:349-354 (2004) (国外期刊,SCI/EI检索).

(40)    Numerical simulation of Cr2N age-precipitation in high nitrogen stainless steels(高氮奥氏体不锈钢中Cr2N 退火析出的计算研究). Qixun Dai(戴起勋), Zhizhong Yuan(袁志钟), Xinmin Luo(罗新民), Xiaonong Cheng(程晓农). 材料科学与工程A. 卷:385(1-2), 页:445-354 (2004) (国外期刊,SCI/EI检索).

(41)    Application and optimum design of diamond saw blade with composite matrix(金刚石复合材料刀具的优化设计与应用). Qixun Dai(戴起勋), Yonghong Fu, Zhizhong Yuan(袁志钟), Fen Cao. Key Engineering Materials 259-260, 154-158 (2004)(国外期刊,SCI/EI检索).

(42)    高氮奥氏体不锈钢室温疲劳断口分析. 刘瑜,戴起勋,陈康敏,袁志钟,韩剑,高佩,吉晓霞. 金属热处理. 34(4), 56-59 (2009).

(43)    表面等离激元对氮化硅薄膜中Tb3+离子荧光寿命的影响. 胡翔,李东升,程培红,袁志钟, 杨德仁. 发光学报. 29 (4), 684-688 (2008).

(44)    硅晶体缺陷发光及应用. 袁志钟, 杨德仁. 材料导报. 19 (1), 82-85 (2005).

(45)    材料计算设计及研究进展. 程晓农, 戴起勋, 赵玉涛, 袁志钟. 江苏大学学报自然科学版. 24(1), 15-18 (2003).

(46)    工程应用层次的奥氏体钢计算设计系统.戴起勋, 程晓农, 赵玉涛, 袁志钟. 江苏大学学报自然科学版. 24(1), 75-78 (2003).

(47)    氮在奥氏体不锈钢中的作用. 袁志钟, 戴起勋, 程晓农, 张成华. 江苏大学学报自然科学版. 22(3), 72-75 (2002).

 

发表中、英文专著

(1)        《金属材料学》(第三版)。袁志钟、戴起勋。化学工业出版社。

(2)        10章:Innovative Quantum Effects in Silicon for Photovoltaic Applications(硅的新量子效应在光伏中的应用). Zhizhong Yuan(袁志钟), Aleksei Anopchenko, Lorenzo Pavesi. 书籍名称: Advanced Silicon Materials for Photovoltaic Applications,主编: S. Pizzini, 出版商: John Wiley & Sons, Ltd, Chichester, UK. doi: 10.1002/9781118312193.ch10. 2012-06-13

(3)        16Photonics application of Silicon nanocrystals纳米硅的光子学应用. A. Anopchenko, N. Daldosso, R. Guider, D. Navarro-Urrios, A. Pitanti, R. Spano, Zhizhong Yuan(袁志钟), L. Pavesi. 是书籍:(《硅纳米晶基础、制备及应用》的一章。编辑L. Pavesi, R. Turan. (Wiley-VCH Verlag GmbH, Berlin 2010)

(4)        《材料设计教程》,化学工业出版社,20079月北京第一版。编写第312章。

(5)        《科技创新与论文写作》(第三版)。戴起勋、袁志钟。机械工业出版社。

 

发表教改论文

(1)        以“产教融合”为内涵的“全素质链”人才培养模式探索与实践. 程晓农,杨娟,袁志钟,严学华,刘强. 中国高等教育. 20183):63-65

(2)        材料科学研究方法现场教学改革实践. 袁志钟,程晓农,戴起勋,杨娟,成华. 中国现代教育装备. 287:99-100,104

(3)        借助金相技能大赛促进材料学科实验教学改革. 王兰,邵红红,袁志钟,彭振. 中国现代教育装备. 275:86-87

(4)        探究式案例教学法的实施策略. 成华,袁志钟. 教育教学论坛. 17:183-185

(5)        Content revision and case study in Metallic MaterialsZhizhong Yuan, Hua Cheng, Qixun Dai, Xiaonong ChengProceedings of the 2016 International Conference on Social Science, Humanities and Modern Education2016:183-188

(6)        The Industry-University-Research Cooperation Innovation of Colleges. Andong Wang, Caifeng Chen, Juan Yang, Xiaonong Cheng, Honghong Shao, Zhizhong Yuan. Proceedings of the 2016 International Conference on Social Science, Humanities and Modern Education2016:160-170

(7)        体验式教学法在教学实践中的应用。成华,袁志钟。中国电力教育,总第258期,29-30, 20121210日。

(8)        基于哲学原理的研究型教学实践。戴起勋,邵红红,程晓农,王树奇,袁志钟。现代教育科学。2010119-21

(9)        同学间互动教学方法简介。袁志钟,戴起勋,陈康敏。中国电力教育,总第148期,93-95 20091110日。


国际会议

(1)        会议名称:The 9th China SOG Silicon and PV Power Conference

举办地:中国苏州
时间:2013116-9
报告题目:原生硅、定向凝固多晶硅中的杂质缺陷表征(特邀报告)
作者:袁志钟

(2)        会议名称:The 22nd International Photovoltaic Science and Engineering Conference
举办地:中国杭州
时间:2012115-9
论文题目:Surface morphology and composition Characterizations of virgin poly-Si chunks
作者:Zhizhong Yuan

(3)        会议名称:Advances in Photovoltaics
举办地:London
时间:2011914
论文题目:Photovoltaic properties of Si nanostructure-based solar cells fabricated on quartz
作者:C. Schuster, Zhizhong Yuan, G. Pucker, A. Anopchenko, A. Marconi, L. Pavesi

(4)        会议名称:The 7th China SOG Silicon and PV Power Conference
举办地:中国杭州
时间:201174-6
论文题目:Key Materials in the 3rd Generation Photovoltaics(口头报告)
作者:Zhizhong Yuan

(5)        会议名称:FNM 09 Functional and Nanostructured Materials
举办地:意大利阿奎拉(Sulmona, L'Aquila, Italy)
时间:2009927-30
论文题目:Silicon quantum-dots based solar cells for third generation photovoltaics
作者:S.Prezioso, S.M. Hossain, A. Anopchenko, L. Ferraioli, Zhizhong Yuan, M. Wang, G. Pucker, P. Bellutti, S. Binetti, M. Acciarri, and L. Pavesi

 

(6)        会议名称:6th International Conference on Group IV Photonics
举办地:美国加州三藩市(San FranciscoCaliforniaUSA
时间:200999-11
论文题目:Photo-response of Si-rich oxynitride film
作者:Zhizhong Yuan, A. Anopchenko, S. Prezioso, S.M. Hossain, G. Pucker, P. Belluti, L. Pavisi.

 

(7)        会议名称:European Materials Research Society (E-MRS) Spring meeting
举办地:法国斯特拉斯堡(Strasbourg, France
时间:201067-11
论文题目:Photovoltaic properties of Si nanostructure-based thin films fabricated on quartz
作者:Zhizhong Yuan, Christian Schuster, Alessandro Maconi, Aleksei Anopchenko, Georg Pucker, Lorenzo Pavesi.

 

(8)        会议名称:Fotonica 2010 (2010年意大利光学会议)
举办地:意大利比萨(PisaItaly
时间:2010525-27
论文题目:Photovoltaic Properties of Si nanocrystals (口头报告)
作者:Zhizhong Yuan, Christian Schuster, Aleksei Anopchenko, Alessandro Marconi, Lorenzo Pavesi, Yoann Jestin, Georg Pucker, Lorenza Ferrario, Pierluigi Bellutti.

 

(9)        会议名称:25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion.
举办地:西班牙瓦伦西亚(Spain, Valencia)
时间:201096-10
论文题目:Nanocrystalline silicon down-shifter for silicon solar cells
作者:Alessandro Marconi, Zhizhong Yuan, Aleksei Anopchenko, Yoann Jestin, Georg  Pucker, Lorenza Ferrario, Pierluigi Bellutti, Lorenzo Pavesi.

(10)    会议名称:25th European Photovoltaic Solar Energy Conference and 5th World Conference on Photovoltaic Energy Conversion
举办地:西班牙瓦伦西亚(Spain, Valencia)
时间:201096-10
论文题目:Electrical transport mechanism for silicon quantum-dots based solar cells
作者:M. Morgano, A. Scaccabarozzi, S. Binetti, M. Acciarri, Zhizhong Yuan, G. Pucker, B. Han, L. Pavesi.

(11)    会议名称:SPIE Optics+Photonics 2010
举办地:美国加州圣地亚哥(San Diego, CA, USA
时间:201081-5
论文题目:Silicon solar cells with nano-crystalline silicon down shifter: Experiment and modeling
作者:Yoann Jestin, Georg  Pucker, Mher Ghulinyan, Lorenza Ferrario, Pierluigi Bellutti, Antonio Picciotto, Amos Collini, Alessandro Maroni, Aleksei Anopchenko, Zhizhong Yuan, Lorenzo Pavesi.

(12)    会议名称:7th International Conference on Group IV Photonics
举办地:中国北京
时间:201091-3
论文题目:Photovoltaic properties of Si nanostructure based solar cells fabricated on quartz
作者:Zhizhong Yuan, C. Schuster, G. Pucker, A. Anopchenko, A. Marconi, L. Pavesi


                     部分专利                                                 

(1)        罗锐,高佩,程晓农,袁志钟,陈乐利。一种高温合金无缝管及其制备方法。专利授权号:ZL201910549138.X

(2)        熊志高,袁志钟。金属材料复合热处理表面强化方法。专利授权号:ZL201710425023.0

(3)        袁志钟,杨成康,张伯承,罗锐,程晓农,韦家波,李绍伟,陈乐利。具有内拱的盾构机刀圈。专利授权号:ZL201930256800.3

(4)        袁志钟,戴起勋,王安东,陈康敏,程晓农。中国发明专利。含氮奥氏体钢微观组织预测的方法。专利授权号:ZL200810234559.5

(5)        袁志钟,王禄宝,张锦根。中国实用新型专利。一种用于铸造多晶硅的复合材料挡板。专利授权号:ZL201120318338.2

(6)        袁志钟,王禄宝,张锦根。中国实用新型专利。一种单晶硅生长炉用石墨、炭毡复合电极。专利授权号:ZL201110248021.1

(7)        王友,王禄宝,徐勇,袁志钟。中国实用新型专利。新型燕尾槽导向工装。专利授权号:ZL201120539254.2

(8)        戴磊,王禄宝,袁志钟,陆继波,张锦根,鄂岭。中国实用新型专利。新型移动晶棒的设备。专利授权号:ZL201120450683.2

(9)        陈建,王禄宝,徐勇,袁志钟。中国实用新型专利。一种检测硅锭倒角面平整度的承载装置。专利授权号:ZL201120537392.7

(10)    王友,王禄宝,徐勇,袁志钟。中国实用新型专利。一种用于卸切片机上的废钢线的工装。专利授权号:ZL201220168823.1

(11)    戴磊,王禄宝,陆继波,袁志钟,张锦根。 中国实用新型专利。一种晶锭的运输装置。专利授权号:ZL 201120535349.7

(12)    袁志钟,王禄宝,张锦根。中国发明专利。一种用于铸造多晶硅的复合材料挡板。专利申请号:201110360964.3

(13)    袁志钟,王禄宝,张锦根。中国发明专利。一种单晶硅生长炉用石墨、炭毡复合电极。专利授权号:201110248021.1

(14)    王友,王禄宝,徐勇,袁志钟。中国发明专利。新型燕尾槽导向工装。专利申请号:201110431413.1

(15)    戴磊,王禄宝,袁志钟,陆继波,张锦根,鄂岭。中国发明专利。新型移动晶棒的设备。专利申请号:201110360859.X

(16)    王友,王禄宝,徐勇,袁志钟。中国发明专利。一种用于卸切片机上的废钢线的工装。专利申请号:201210116782.6

(17)    戴磊,王禄宝,陆继波,袁志钟,张锦根。中国发明专利。一种晶锭的运输装置。专利申请号:201110427593.6

(18)    林慧,徐小云,袁志钟,王禄堡。中国发明专利。从带锯截断多晶硅锭产生的废料中回收硅料的方法。专利申请号:201210118367.4

(19)    林慧,袁志钟,王禄宝。中国发明专利。从金刚线切割晶硅产生的废料中回收硅料的方法。专利申请号:201210115987.2

(20)    司荣进,袁志钟,王禄堡。中国发明专利。一种铸造大晶粒硅锭的方法。专利申请号:201210118729.x

(21)    徐小云,袁志钟,王禄宝。中国发明专利。废弃层硅料的回收处理方法。专利申请号:201210117339.0

(22)    司荣进,袁志钟,王禄堡。中国发明专利。一种在运输时防止碰撞损失的铸造多晶硅锭保护罩。专利申请号:201210118701.6

(23)    徐小云,林慧,袁志钟,王禄宝。中国发明专利。一种从晶砖倒角机产生的废料中回收硅料的方法。专利申请号:201210125411.4

(24)    袁志钟,赵俊武,王禄宝。中国发明专利。太阳能电池用多晶硅片的编码方法。专利申请号:201210141586.4

(25)    司荣进,袁志钟,杨传伟,王禄宝。中国发明专利。利用单晶硅棒开方边皮铸造大晶粒多晶硅的方法。专利申请号:201210179283.1

(26)    司荣进,袁志钟,杨传伟,王禄宝。中国发明专利。新型单晶硅棒开方后剩下的边皮的夹具。专利申请号:201220380193.4

(27)    王友、王禄宝、徐勇、袁志钟。中国发明专利。新型的用于垫条、玻璃和晶棒粘接的工装。专利申请号:201110428671.4

(28)    吴庆、王禄宝、徐勇、袁志钟。中国发明专利。粉末料装料投炉铸锭提纯方法。专利申请号:201210117205.9 


其他兼职

(1)        Smart Grid and Renewable Energy 期刊的特约审稿人

(2)        江苏省热处理学会理事

(3)        江苏省金属学会理事

(4)        江苏省光伏专业委员会专家 


英语技能

(1)        2003 CET-6 优秀

(2)        良好的读、写、译英文能力

(3)        Toefl GRE全部通过


兴趣爱好

(1)        足球

(2)        竹笛

(3)        摄影

(4)        书法

  • 教育经历Education Background
  • 工作经历Work Experience
  • 研究方向Research Focus
  • 社会兼职Social Affiliations
  • 金属材料热处理及表层改性、关键零部件抗疲劳制造科学与工程
  • 半导体光电、光伏

团队成员Research Group

高端金属结构材料研究团队

以程晓农教授为核心的金属材料研究团队